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8.4 洁净设计及装修
8.4.1 还原、整理厂房洁净设计及装修应符合下列规定:
1 半导体级多晶硅还原厂房的还原炉室应按洁净厂房进行设计,空气洁净度等级不应低于8级。平面布置、人员净化、物流净化、室内装修应符合现行国家标准《洁净厂房设计规范》GB 50073的有关规定。当设有通往整理厂房的连廊时,连廊的空气洁净度等级和处理方法应与还原炉室的要求一致,宜符合本规范附录C的规定。
2 还原炉室地面宜采用耐磨的洁净地面,当采用水磨石地面时,应采取防静电措施。墙面宜采用外贴洁净板或防静电树脂涂料。
3 整理厂房空气洁净度等级及洁净区划分应按工艺要求设置,空气洁净度不应低于8级。平面布置、人员净化、物流净化、室内装修,应符合现行国家标准《洁净厂房设计规范》GB 50073的有关规定。
4 整理厂房的洁净房间地面宜采用环氧自流平地面、聚氯乙烯(PVC)膜材料或水磨石地面,地面应采取防静电措施。
8.4.2 其他建(构)筑物的地面及装修应符合下列规定:
1 厂房地面与室外自然地坪高差宜大于或等于300mm。
2 有洁净要求的房间地面应满足工艺生产要求,地面应平整、耐磨、易清洗、不易积聚静电、避免眩光、不开裂,踢脚不应突出墙面。地面垫层宜配筋,潮湿地区应有防潮措施。
3 洁净房间的门窗、墙面、顶棚装修应符合现行国家标准《洁净厂房设计规范》GB 50073的有关规定。
4 普通区辅助房间地面应根据使用性质和要求选用,室内装修应符合现行国家标准《建筑内部装修设计防火规范》GB 50222的有关规定。
8.4.1 有关主厂房设计要求说明如下:
1 半导体级多晶硅产品纯度高,为保证产品质量,避免硅棒和多晶硅在生产和运输过程中受污染,还原炉室工艺一般要求空气的洁净度不低于8级。洁净区的出入口部应设置人员净化、物料净化用室和生活用室。洁净区的口部平面设置、防火和疏散、室内装修均应按现行国家标准《洁净厂房设计规范》GB 50073执行。还原炉室通过洁净连廊与整理工段相连,合用净化口部房间可以简化人流路线,节省投资。连廊的空气洁净度和室内装修要求同还原炉室。
由于还原炉室为高大厂房,体积较大,从产品要求、投资和运行成本考虑,生产太阳能级多晶硅的还原炉室对空气的要求考虑三级过滤,可不按洁净厂房考虑。
3 为保证多晶硅的产品质量,整理车间内从多晶硅棒去石墨到多晶硅破碎、筛选、酸洗干燥、称量、包装等后处理工段的空气洁净度不宜低于7级,前处理多晶硅还原配套的辅助工段(主要包括硅芯制备、石墨煅烧等)空气洁净度不宜低于8级。洁净区的出入口部应设置人员净化用室、物料净化用室、生活用室。洁净区的口部平面设置、防火和疏散、室内装修均应按现行国家标准《洁净厂房设计规范》GB 50073的有关规定执行。
8.4.2 本条对有空气洁净度要求的其他厂房和建筑作出规定。
1 高差定为大于或等于300mm是因为洁净房间有较高的防潮要求。
3 现行国家标准《洁净厂房设计规范》GB 50073中的室内装修条款对洁净室的门窗、墙壁、顶棚、地面都规定得较为详细,故规定按其执行。
4 本款对洁净区外没有空气洁净度要求的其他辅助房间的装修作了一般性规定。
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